کنفرانس مهندسی برق ایران

صفحه اصلی / بیست و نهمین کنفرانس مهندسی برق ایران

ارائه ساختاری جدید از یک فوتودیود شکست بهمنی InGaAs / Si SACM APD جهت آشکار سازی در طول موج تابشی 1550 نانومتر

نویسندگان :

مهدی اسکندری¹ محمد عظیم کرمی²

1- دانشگاه علم و صنعت ایران 2- دانشگاه علم و صنعت ایران

کلمات کلیدی :

آشکار ساز، فوتو دیود شکست بهمنی، پاسخ دهی، جریان تابش، جریان تاریک

چکیده :

در این مقاله یک آشکارساز مبتنی بر پدیده شکست بهمنی (SACM APD InGaAs/Si) برای آشکار سازی در طول موج 1550 نانومتر ارائه گردیده است. این آشکارساز با ساختاری ساده، از حیث لایه ها تعریف و پارامتر های اصلی آشکار سازی آن همانند جریان تاریک، جریان تابش ، بهره و پاسخ دهی2 ،بهینه شده است. وجه برتری و تمایز این آشکار ساز این است که ولتاژ بایاس آن کوچکتر از مدل های موجود در مراجع معرفی شده می باشد و پارامترهای آشکار سازی آن نیز، قابل رقابت با انها می باشد. این ولتاژ بایاس حداقل %41 از دیگر مراجع تطبیقی درشرایط مشابه کمتر است. در شاخص (0.9Vbr)‌، جریان تابش 8.3 میکرو آمپر و جریان تاریک 4.9 نانو آمپرحاصل گشته است. در ولتاژ بایاس 25 ولت جریان تابش 51 میکرو آمپر و جریان تاریک 21 نانو آمپر نسبت به فوتودیود مشابه افزایش می یابد. از این آشکار ساز برای کاربری های خاصی که نیاز به جریان تاریک بسیار پایین دارند نیز، می توان بهره برداری نمود.