کنفرانس مهندسی برق ایران

صفحه اصلی / سی و سومین کنفرانس بین المللی مهندسی برق

یک سوئیچ DC-15 گیگاهرتز با تلفات کم و خطی بودن بالا در فناوری SOI با ابعاد ۴۵ نانومتر

نویسندگان :

حسین زارعی¹

1- دانشگاه اصفهان

کلمات کلیدی :

RF،SPST،SOI،Switch

چکیده :

یک سوئیچ تک‌ ورودی-خروجی (SPST) با تلفات کم و خطی بودن بالا با استفاده از فناوری CMOS SOI در ابعاد ۴۵ نانومتر توسعه یافته است. تلفات و ایزولاسیون اندازه‌گیری‌شده به ترتیب برابر با ۰.۹ دسی‌بل و ۲۷ دسی‌بل در فرکانس ۱۰ گیگاهرتز می باشد و این سوئیچ توانایی انتقال توان ۲۳ dBm و IP3 برابر با ۳۶ dBm را داراست. این عملکرد با استفاده از پشته‌کردن 5 ترانزیستور در شاخه سری و شاخه موازی به دست آمده است که به طور قابل‌توجهی انتقال توان و خطی بودن را افزایش داده است. این سوییچ با استفاده از فناوری SOI با ابعاد ۴۵ نانومتر طراحی و ساخته شده و از جمله سوئیچ‌های با توان بالا در بازه فرکانسی DC-15 گیگاهرتز است و نشان می‌دهد که این فناوری در این بازه فرکانسی با سوئیچ‌های GaAs رقابت‌پذیر است.