لطفا منتظر بمانید ...
0% Complete
صفحه اصلی
/
سی و دومین کنفرانس بین المللی مهندسی برق
Inversion Coefficient as a Key Design Parameter in MOS Device Performance
نویسندگان :
Gholamreza Khademevatan
1
Ali Jalali
2
1- Shahid Beheshti University
2- Shahid Beheshti University
کلمات کلیدی :
inversion coefficient،metal oxide semiconductor،Enz Krummenacher Vittoz،complementary metal oxide semiconductor
چکیده :
The paper discusses MOS device performance using the EKV model and its key parameter, the inversion coefficient (IC), for the 90nm CMOS process. The study includes sizing relationships, DC bias parameters, small signal parameters, gain and bandwidth relationships, gate referred thermal and flicker noise parameters, local area DC mismatch parameters, gate-source leakage current and figure of merit factors for low power RF designs. By using charts versus IC, the graphical view illustrates MOS performance tradeoffs. By introducing the MOSFET operating .plane, optimal bias points for the best MOS performance can be selected. It is observed that the moderate inversion region is the most suitable for low-power design
لیست مقالات
لیست مقالات بایگانی شده
An Active Inductor-Based Differential Ring VCO with Wide Tuning Range for UWB Applications
Mahdi Alijani - Mohammadmahdi Javanmardi - Vahid Khodadadi - Adib Abrishamifar
طراحی آنتن سرآتش پهن باند مبتنی بر پلاسمون پلاریتونهای سطحی جعلی
فرشاد ارغنده - بیژن عباسی آرند - مریم حصاری شرمه
An Investigation of Hardware Implementation of Multi-Valued Logic Using Different Nanodevices
Abdolah Amirany - Kian Jafari - Mohammad Hossein Moaiyeri
Design, Prototyping and Performance Analysis of a Barometric-Based Soft Force Sensor
Mohammad Reza SheykhAzimi - Mohammad Reza Nayeri - Mehdi Tale Masouleh - Ahmad Kalhor
Analytical Model for Estimating the Range of Troposcatter Active Radar
Mahdi Shiri - Mohammadreza Edalatzadeh
Efficient Large Language Models with Zero-Shot Adjustable Acceleration
Sajjad Kachuee - Mohammad Sharifkhani
Smartly, reduce the latency of high-priority vehicles using IoT technology
Mahdi Talebi - Masoud Sabaei
5.65 GHz Rectenna for Dedicated Wireless Power Transfer to IoT Devices with Reduced Interference in the WLAN Band
Saeed Hosseini - Changiz Ghobadi - Javad Nourinia - Majid Shokri - Mojtaba Amani - Reza Mahmoudi
تخمین نرختنفس با استفاده از ترکیب ویژگیهای سیگنال فوتوپلتیسموگرافی و مدل FCM-ANFIS
علیرضا باغبانی - سیده فاطمه مولایی زاده
اولویتبندی کلیدهای قدرت جهت پیادهسازی سیستم پایش وضعیت
محمدرضا قطبالدینی - احمد میرزائی - محمدمهدی منصوری مجومرد
بیشتر
ثمین همایش، سامانه مدیریت کنفرانس ها و جشنواره ها - نگارش 44.7.2
