کنفرانس مهندسی برق ایران

صفحه اصلی / سی و دومین کنفرانس بین المللی مهندسی برق

Inversion Coefficient as a Key Design Parameter in MOS Device Performance

نویسندگان :

Gholamreza Khademevatan¹ Ali Jalali²

1- Shahid Beheshti University 2- Shahid Beheshti University

کلمات کلیدی :

inversion coefficient،metal oxide semiconductor،Enz Krummenacher Vittoz،complementary metal oxide semiconductor

چکیده :

The paper discusses MOS device performance using the EKV model and its key parameter, the inversion coefficient (IC), for the 90nm CMOS process. The study includes sizing relationships, DC bias parameters, small signal parameters, gain and bandwidth relationships, gate referred thermal and flicker noise parameters, local area DC mismatch parameters, gate-source leakage current and figure of merit factors for low power RF designs. By using charts versus IC, the graphical view illustrates MOS performance tradeoffs. By introducing the MOSFET operating .plane, optimal bias points for the best MOS performance can be selected. It is observed that the moderate inversion region is the most suitable for low-power design

لیست مقالات

لیست مقالات بایگانی شده

طراحی ایستگاه شارژ سریع با در نظر گرفتن عدم قطعیت منابع تجدیدپذیر و مدیریت ریسک

محمد بزرگ‌پور رودباری - میثم جعفری نوکندی - محمد هاشمی مصیر

Effect of Physical Characteristics on Artiﬁcial Neural Network Error Reduction for Indoor Propagation Modeling

SeyedehMounes Eslami - Amir Ahmad Shishegar

Classifying Human Spatial Navigation Anxiety Using Electrooculography Signals and Machine Learning Techniques

Saeed Mousavi - Sara Ashrafi - Mehdi Delrobaei

Delay Independent Controller Design for Delayed Discrete Singular Systems with Input Saturation

Emad Jafari - Tahereh Binazadeh

Optimal Probability Placement of the Charge Station of Electric Vehicles in a Distributed Power Network Containing the DG using the Queuing Theory

Mohammadreza Mousavi khademi - Ebrahim Kazemi - Mehdi Zareian Jahromi

Design and Analysis of a Low-Power Two-Stage Dynamic Comparator with 40ps Delay in 65nm CMOS Technology

Razieh Ghasemi - Hossein Ghasemian - Ebrahim Abiri - Mohammad Reza Salehi

خلاصه سازی ویدیوهای کپسول آندوسکوپی با رویکرد یادگیری انتقالی

محدثه امیریان چایجان - رضا آقائی زاده ظروفی - مسعود رضا سهرابی

Angular Misalignment Effect on the Performance of Underwater MIMO OCC Systems

Ehsan Hamidnejad - Asghar Gholami

پیش‌بینی توان تولیدی توربین‌های بادی با روش‌های حافظه کوتاه‌مدت طولانی و ماشین تقویت‌کننده‌ی گرادیان سبک

سید متین ملکوتی - مهدی منصوری - امیر ریخته گرغیاثی

H_∞ Robust Constrained Control of Fuzzy-based Continuous-Time Nonlinear Systems

Mohsen Farbood - Mokhtar Shasadeghi - Taher Niknam - Behrouz Safarinejadian

بیشتر

ثمین همایش، سامانه مدیریت کنفرانس ها و جشنواره ها - نگارش 42.3.2