0% Complete
صفحه اصلی
/
سی و دومین کنفرانس بین المللی مهندسی برق
Inversion Coefficient as a Key Design Parameter in MOS Device Performance
نویسندگان :
Gholamreza Khademevatan
1
Ali Jalali
2
1- Shahid Beheshti University
2- Shahid Beheshti University
کلمات کلیدی :
inversion coefficient،metal oxide semiconductor،Enz Krummenacher Vittoz،complementary metal oxide semiconductor
چکیده :
The paper discusses MOS device performance using the EKV model and its key parameter, the inversion coefficient (IC), for the 90nm CMOS process. The study includes sizing relationships, DC bias parameters, small signal parameters, gain and bandwidth relationships, gate referred thermal and flicker noise parameters, local area DC mismatch parameters, gate-source leakage current and figure of merit factors for low power RF designs. By using charts versus IC, the graphical view illustrates MOS performance tradeoffs. By introducing the MOSFET operating .plane, optimal bias points for the best MOS performance can be selected. It is observed that the moderate inversion region is the most suitable for low-power design
لیست مقالات
لیست مقالات بایگانی شده
بهینه سازی استفاده از منابع شبکه های نوری با گرومینگ ترافیک در لایهی MPLS
محمدعلی سالک قادری - آرش رضایی - لطف اله بیگی
بهبود تخمین واریانس نویز با بهره گیری از واریانس تغییرات سیگنال
مجید دهقانیزاده - مسعودرضا آقابزرگی
یک روش مستقل از پارامترهای خطا بهمنظور تشخیص، دستهبندی و تعیین سکشن خطا در سیستم انتقال چند ترمیناله بر اساس تبدیل موجک گسسته
احسان اکبری - عبدالرضا شیخ الاسلامی
An active learning approach for classification of several arrhythmias in ECG signal
Nastaran Darbani - Danial Katoozian - Hossein Hosseini-Nejad
تخمین نرختنفس با استفاده از ترکیب ویژگیهای سیگنال فوتوپلتیسموگرافی و مدل FCM-ANFIS
علیرضا باغبانی - سیده فاطمه مولایی زاده
Swin Wavelet Super Resolution
Zahra Moammeri - Ahmad Mahmoudi-Aznaveh
HIV Virus States Estimation by Extended Kalman Particle Filter
Meysam Hooshmand - Mahtab Sharifian - Hamid Sharifian - Javad Mahmoudi
ارائه ساختار پیشنهادی ترانسفورماتور حالت جامد یک سویه در بهره برداری از شبکه های توزیع
بهنام بهارلوئی - رضا قندهاری - مهدی بابایی - یوسف عطائی
Holographic Principle Inspired Metal-Only Spoof Surface Plasmon Polariton Leaky-wave Antenna with Circular Polarization
Sajjad Zohrevand - Mohammad Amin Chaychi zadeh - Nader Komjani
Outage Analysis of Distributed Relaying NOMA in Cognitive Radio Networks
Zahra Doorbash - Ali Jamshidi
ثمین همایش، سامانه مدیریت کنفرانس ها و جشنواره ها - نگارش 40.4.2