کنفرانس مهندسی برق ایران

صفحه اصلی / بیست و نهمین کنفرانس مهندسی برق ایران

مدل‌سازی ابرشبکه‌های AlxGa1-xAs)m/(GaAs)n) با استفاده از روش Empirical Tight-Binding

نویسندگان :

متینه سادات حسینی قیداری¹ وحیدرضا یزدان پناه²

1- دانشگاه علم و صنعت ایران 2- دانشگاه علم و صنعت ایران

کلمات کلیدی :

روش Empirical Tight-Binding، ابرشبکه، شکاف انرژی، طول‌موج، ضریب شکست

چکیده :

در این مقاله رفتار شکاف انرژی و طول‌موج قطع و ضریب شکست ساختار ابرشبکه‌های AlxGa1-xAs)m/(GaAs)n) رشد یافته بر زیرلایه (GaAs(100 از نظر ضخامت‌های GaAs و AlxGa1-xAs و ضرایب مولی مختلف Al موجود در ترکیب AlxGa1-xAs بررسی شده است. برای این منظور، از روش (Empirical Tight-Binding(ETBM با تقریب *sp3s و در نظر گرفتن اولین نزدیکترین همسایه و برهمکنش‌های Spin-Orbit استفاده شده است. همچنین برای شبیه‌سازی شکاف انرژی و طول‌موج قطع و ضریب شکست برای طیف وسیعی از ضخامت‌های مواد سازنده، Stress/Strain و Energy Band Lineups نیز برای ابرشبکه AlxGa1-xAs)m/(GaAs)n) در نظر گرفته شده است.